國際 工商 科技 財經 Taiyo Holdings推出次世代半導體封裝材料FPIM (TM) Series 成功於12吋晶圓上首次實現CD 1.6微米三層RDL結構 2025 年 11 月 17 日 terry – 論文發表於14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ 2025) – 東京2025年11月17日 /美通社/ — 總部位於東京的Taiyo Holdings Co., Ltd.（證券程式碼：4626；以下簡稱「Taiyo Holdings」）於2025年11月13日在14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2025)上發表與全球頂尖半導體研究機構imec共同撰寫的論文，重點介紹了作為次世代半導體封裝材料開發的、用於大馬士革工藝的細間距RDL (*1)負型光敏絕緣材料「FPIM (TM) Series」（以下簡稱「該材料」）。 RDL是實現先進半導體封裝結構中高效電氣連線的重要技術，目前主要採用半加成工藝(SAP) (*2)製造。imec指出，隨著佈線細微化需求發展，未來要形成線間距1.6微米及以下的互連結構，大馬士革工藝(*3)將成為必要技術。為此，Taiyo Holdings持續開發專用於大馬士革工藝的次世代細間距RDL材料，並自2022年10月起與imec展開共同研究。本研究運用該材料在12吋晶圓上成功形成三層RDL結構，經評估各層佈線間距均達成目標規格：晶圓上RDL1層CD (*4)達1.6微米、通孔層CD為2.0微米（通孔中心間距為CD 4.0微米）、RDL2層CD為1.6微米。這些數值極接近本研究採用的低NA…