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DB HiTek將參加2026年PCIM展會,加強其在歐洲市場的佈局

歐洲最大的功率半導體展會將於6月9日至11日在德國紐倫堡舉行 展示碳化矽和氮化鎵領域的最新進展,凸顯其功率半導體能力 韓國首爾2026年4月29日 /美通社/ — 領先的8英吋純晶圓代工廠DB HiTek宣佈,該公司將參加歐洲功率半導體領域頂級展會——2026年德國紐倫堡電力電子系統及元器件展覽會(PCIM Europe)。該展會將於(當地時間)6月9日至11日在德國紐倫堡舉行,此次參展標誌著該公司持續拓展其在歐洲市場的業務版圖。 在2025年PCIM展會上成功首秀後——該公司在2025年展會上與數十家客戶進行了面對面交流,探討了工藝技術及合作機會,DB HiTek現在乘勢而上。憑借去年展位超1000人次的參觀量以及持續推進的商務洽談,該公司預計透過深化合作夥伴關係,在今年讓這些互動轉化為實實在在的商業成果。 在今年的展會上,DB HiTek將展示其新一代碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)工藝的研發進展。該公司還將重點推介其行業領先的BCDMOS(雙極-互補金氧半導體-雙擴散金氧半導體)技術,該技術是其電源管理產品組合的核心優勢。目前,該公司還安排了與全球客戶的密集會晤日程,這彰顯了雙方合作關係的持續深化拓展。 市場研究機構Yole Developpement的資料表明,全球碳化矽和氮化鎵功率半導體市場將迎來快速增長。碳化矽市場規模預計將從2026年的約48億美元增至2030年的104億美元,年均複合增長率(CAGR)達21%;同期,氮化鎵市場規模預計將從9億美元擴大至29億美元,年均複合增長率高達33%。 DB HiTek於2025年12月啟動了碳化矽和氮化鎵工藝的多專案晶圓(MPW)流片,為十多種客戶產品生產了樣品。這些樣品在2026年3月至4月間完成交付。目前客戶正在進行評估,相關反饋將被納入最終工藝驗證環節。DB HiTek計劃於2027年正式啟動全面規模化量產。 目前,DB HiTek與約400家客戶保持著規模化量產合作關係,業務重心主要集中在其旗艦級功率半導體產品領域。此外,該公司還利用專業影象感測器技術,與廣泛的客戶群體開展合作,涵蓋X射線、全域快門(Global Shutter)及單光子雪崩二極體(SPAD)等技術。隨著工業和汽車級產品需求持續增長,DB HiTek的產品應用結構正日益向這兩大領域傾斜。

SK keyfoundry成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺,斬獲1200V新品訂單,正式開啟SiC業務全面佈局

成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺,確保高可靠性與良率競爭力 啟動為新客戶開發1200V SiC MOSFET,加速SiC化合物半導體代工業務程序 韓國首爾2026年3月11日 /美通社/ — 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣佈,公司近期已完成SiC(碳化矽)平面MOSFET工藝平臺的開發。當前,該平臺在新一代化合物功率半導體市場中正備受青睞。公司還透露,已獲得一家新客戶的1200V SiC MOSFET產品開發訂單,這標誌著其全面啟動SiC化合物半導體代工業務。 SK keyfoundry推出的全新SiC平面MOSFET工藝平臺支援450V至2300V的寬電壓範圍。該平臺已在高壓工作環境下獲得了高可靠性與穩定性資料,證明瞭其卓越效能。此外,透過全面最佳化工藝流程並實現對核心製程的精準管控,公司已將產品良率提升至90%以上,同時提高了生產效率。SK keyfoundry還表示,公司提供差異化的「定製化工藝支援服務」,能夠根據客戶的特定需求微調電氣特性與規格引數。 隨著該工藝平臺開發的完成,SK keyfoundry已獲得一家專註於SiC設計的客戶的1200V高壓產品訂單,並啟動了產品開發工作。該工藝將應用於客戶的工業裝置,在熱效率管理方面發揮關鍵作用。完成樣片評估和可靠性驗證後,公司計劃於2027年上半年啟動全面量產。 此次SiC平面MOSFET工藝平臺的開發,是SK keyfoundry收購SiC專業公司SK powertech後,整合雙方核心能力的首個成果。技術研發完成後隨即獲得實際客戶訂單,也印證了該平臺已跨越技術驗證階段,具備了可立即投入商業化的成熟度與競爭力。 SK keyfoundry執行長Derek D. Lee表示:「SiC平面MOSFET工藝平臺的開發,標誌著SK keyfoundry已在全球化合物半導體市場確立了獨立的技術領導地位。依託我們兼具高良率與高可靠性的差異化工藝,我們將持續拓展高壓功率半導體解決方案,以滿足國內外客戶的需求。」 關於SK keyfoundry SK keyfoundry總部位於韓國,為半導體公司提供專業的模擬與混合訊號代工服務,產品廣泛應用於消費電子、通訊、計算、汽車及工業等多個領域。憑藉廣泛的技術組合及工藝節點,SK keyfoundry能夠靈活應對全球半導體企業不斷演變的需求。欲瞭解更多資訊,請訪問https://www.skkeyfoundry.com…

SK keyfoundry推出第四代200V高壓0.18微米BCD工藝,加速進軍汽車及AI功率半導體市場

韓國首爾2026年1月28日 /美通社/ — 韓國8英吋純晶圓代工廠SK keyfoundry近日宣佈,其第四代200V高壓0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝已正式推出,並將與國內外主要客戶啟動全面的產品開發,目標是在年內實現量產。 隨著汽車電氣化與人工智慧資料中心擴張的持續加速,市場對高壓、高效率功率半導體的需求正迅速增長。特別是汽車電氣架構正從12V系統向48V系統過渡,而人工智慧伺服器和資料中心則將工作電壓從380V直流電提升至高達800V直流電,以實現功率效率和密度的最大化。在此背景下,具備可靠且能承受100V以上高電壓並實現高效功率控制能力的工藝技術的重要性愈發凸顯。 SK keyfoundry新推出的第四代200V高壓0.18微米BCD工藝,與上一代工藝相比,Rsp(比導通電阻)和BVDSS(擊穿電壓)均提升了20%以上,體現了功率效率的提升和高溫下的穩定性增強。此外,該工藝針對每個工作電壓優化了低導通電阻器件,最大限度地減少了芯片面積和功率損耗,從而提升了整體工藝競爭力。值得注意的是,該工藝提供了多層厚金屬間 電介質(Thick IMD)選項,可在採用BCD和高壓MOSFET技術的高壓、大電流電源管理積體電路(PMIC)器件之間,安全傳輸數字訊號,同時阻斷不必要的高壓和噪聲。它還支援廣泛的嵌入式儲存選項,包括SRAM、ROM、MTP和OTP,以及用於精密電機控制的霍爾感測器,進一步拓展了高壓IC的設計靈活性。 SK keyfoundry的新工藝可應用於開發多種產品,包括高壓電源管理和轉換IC、電機驅動器、發光二極體(LED)驅動器和電源柵極驅動器。最重要的是,該工藝符合嚴格的汽車可靠性認證標準AEC-Q100 Grade 0,使其能夠直接應用於即使在極端工作條件下也需要高可靠性的汽車電子元件。 SK keyfoundry執行長Derek D. Lee表示:「隨著AI伺服器和汽車電子系統對功率的需求不斷增加,市場對超過100V的BCD工藝的需求也在迅速增長。特別是考慮到能夠提供基於體矽的高壓BCD工藝的晶圓代工廠數量有限,我們200V高壓0.18微米BCD工藝的量產是一個具有重要意義的里程碑。我們計劃根據功率半導體市場不斷變化的客戶需求,持續推進我們的工藝技術發展。」 關於SK keyfoundry SK keyfoundry總部位於韓國,為半導體公司提供特種模擬和混合訊號晶圓代工服務,服務於消費電子、通訊、計算、汽車和工業領域的廣泛應用。憑借廣泛的技術組合和工藝節點,SK keyfoundry具備滿足全球半導體公司不斷變化需求的靈活性與能力。欲瞭解更多資訊,請訪問https://www.skkeyfoundry.com。

SK keyfoundry加速碳化矽化合物功率半導體技術開發

— 透過收購SK powertech掌握核心技術能力,目標2025年底前提供工藝技術 — 韓國首爾2025年11月12日 /美通社/ — 韓國8英吋純晶圓代工廠SK keyfoundry宣佈,正加速開發碳化矽(SiC)化合物功率半導體技術,加大進軍全球功率半導體市場的力度。公司憑借在半導體製造工藝領域的先進製造專長與廣泛智慧財產權(IP)組合,近期已完成對碳化矽領域具備核心競爭力的關鍵企業SK powertech的收購,此舉有望進一步增強SK keyfoundry的技術競爭力。 基於從晶圓加工到後端製造的深厚理解,SK keyfoundry積累了豐富的工藝最佳化技術及提升良率的專業能力。透過此次收購,SK keyfoundry成功獲得了SK powertech的碳化矽工藝與設計技術,有望在碳化矽化合物半導體領域產生卓越的協同效應。SK powertech憑借其稀缺的商用碳化矽功率器件及核心工藝技術在韓國備受認可,此次收購使SK keyfoundry在碳化矽功率半導體領域紮實奠定了技術自主的基礎。 立足這一基礎,SK keyfoundry正加速推進技術開發,目標在2025年底前推出碳化矽MOSFET 1200V工藝技術,並於2026年上半年啟動碳化矽功率半導體代工業務。公司特別計劃拓展其工藝技術版圖,聚焦電動汽車電驅系統、工業電源轉換器與可再生能源逆變器等高壓、高效應用領域。為實現這一目標,SK keyfoundry正強化工藝最佳化與可靠性評估流程,同時組建專項團隊,為客戶提供定製化碳化矽解決方案。 近年來,全球對碳化矽等化合物功率半導體的需求持續快速增長。在能源效率成為關鍵競爭要素的電動汽車、儲能系統、5G基礎設施與資料中心等領域,碳化矽的應用正全面提速。市場研究機構Omdia資料顯示,2025至2030年,全球碳化矽市場預計將以每年超過24%的強勁增速增長。面對這一趨勢,SK keyfoundry計劃將碳化矽功率半導體業務打造為新一代增長引擎,並透過深化與國內外客戶的合作,持續提升全球市場份額。 SK keyfoundry執行長Derek D. Lee表示:「收購碳化矽專業企業SK powertech,是SK keyfoundry在化合物半導體領域建立獨特技術優勢的關鍵一步。透過整合雙方核心開發能力,推出高效碳化矽功率半導體工藝與產品,SK keyfoundry將在快速增長的全球高壓高效化合物半導體應用市場中,確立差異化的技術引領地位。」…